型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK117920-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: N沟道 600V 10.5A78505-24￥4.401025-49￥4.075050-99￥3.8468100-499￥3.7490500-2499￥3.68382500-4999￥3.60235000-9999￥3.5697≥10000￥3.5208 -
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品类: MOS管描述: 这些n沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形Dmos技术生产。这一先进技术是专为最大程度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适用于高效开关Dc/Dc转换器和开关电源应用。99765-49￥13.665650-199￥13.0816200-499￥12.7546500-999￥12.67281000-2499￥12.59102500-4999￥12.49765000-7499￥12.4392≥7500￥12.3808 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。38065-49￥15.444050-199￥14.7840200-499￥14.4144500-999￥14.32201000-2499￥14.22962500-4999￥14.12405000-7499￥14.0580≥7500￥13.9920 -
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品类: MOS管描述: 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET102610-99￥6.0360100-499￥5.7342500-999￥5.53301000-1999￥5.52292000-4999￥5.48275000-7499￥5.43247500-9999￥5.3922≥10000￥5.3720 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3Pin(3+Tab) TO-3PN945420-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET16775-49￥12.647750-199￥12.1072200-499￥11.8045500-999￥11.72891000-2499￥11.65322500-4999￥11.56675000-7499￥11.5127≥7500￥11.4586 -
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品类: MOS管描述: LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET59045-49￥31.625150-199￥30.2736200-499￥29.5168500-999￥29.32761000-2499￥29.13832500-4999￥28.92215000-7499￥28.7870≥7500￥28.6518 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。42905-49￥19.293350-199￥18.4688200-499￥18.0071500-999￥17.89171000-2499￥17.77622500-4999￥17.64435000-7499￥17.5619≥7500￥17.4794 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。371210-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 27A, TO-3PN-339505-49￥19.550750-199￥18.7152200-499￥18.2473500-999￥18.13041000-2499￥18.01342500-4999￥17.87975000-7499￥17.7962≥7500￥17.7126 -
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品类: IGBT晶体管描述: PFC SPM®（智能电源模块），Fairchild Semiconductor PFC（功率因数校正）的高级智能电源模块 (SPM®) ### 电动机控制器和驱动器，Fairchild Semiconductor42541-9￥245.364010-49￥238.963250-99￥234.0559100-199￥232.3490200-499￥231.0689500-999￥229.36201000-1999￥228.2952≥2000￥227.2284 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FNB41060 晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 10 A, 1.5 V, 32 W, 600 V, SPM26-AAA86641-9￥97.290010-99￥93.0600100-249￥92.2986250-499￥91.7064500-999￥90.77581000-2499￥90.35282500-4999￥89.7606≥5000￥89.2530 -
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品类: MOS管描述: TO-220F N-CH 100V 41A54545-24￥5.346025-49￥4.950050-99￥4.6728100-499￥4.5540500-2499￥4.47482500-4999￥4.37585000-9999￥4.3362≥10000￥4.2768 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚45245-49￥14.121950-199￥13.5184200-499￥13.1804500-999￥13.09601000-2499￥13.01152500-4999￥12.91495000-7499￥12.8546≥7500￥12.7942 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3Pin TO-247 Tube56945-49￥24.406250-199￥23.3632200-499￥22.7791500-999￥22.63311000-2499￥22.48712500-4999￥22.32025000-7499￥22.2159≥7500￥22.1116 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。42625-49￥29.612750-199￥28.3472200-499￥27.6385500-999￥27.46141000-2499￥27.28422500-4999￥27.08175000-7499￥26.9552≥7500￥26.8286 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3Pin TO-247 Tube81395-49￥24.406250-199￥23.3632200-499￥22.7791500-999￥22.63311000-2499￥22.48712500-4999￥22.32025000-7499￥22.2159≥7500￥22.1116 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。39025-49￥19.527350-199￥18.6928200-499￥18.2255500-999￥18.10871000-2499￥17.99182500-4999￥17.85835000-7499￥17.7749≥7500￥17.6914 -
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品类: IGBT晶体管描述: FGA20N120FTD 系列 1200 V 40 A 场截止 沟道 IGBT-TO-3PN95705-49￥23.435150-199￥22.4336200-499￥21.8728500-999￥21.73261000-2499￥21.59232500-4999￥21.43215000-7499￥21.3320≥7500￥21.2318 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3Pin(3+Tab) TO-3PN Tube85185-49￥14.742050-199￥14.1120200-499￥13.7592500-999￥13.67101000-2499￥13.58282500-4999￥13.48205000-7499￥13.4190≥7500￥13.3560 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail66145-49￥19.948550-199￥19.0960200-499￥18.6186500-999￥18.49931000-2499￥18.37992500-4999￥18.24355000-7499￥18.1583≥7500￥18.0730 -
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品类: TVS二极管描述: DIODE ULT FAST 400V 6A TO-220F446320-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: TVS二极管描述: Diode Switching 600V 5A 2Pin(2+Tab) TO-220F Rail606120-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: TVS二极管描述: Diode Switching 1.5kV 10A 2Pin(2+Tab) TO-220F Rail85565-24￥1.957525-49￥1.812550-99￥1.7110100-499￥1.6675500-2499￥1.63852500-4999￥1.60235000-9999￥1.5878≥10000￥1.5660 -
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品类: TVS二极管描述: Diode Switching 500V 16A 2Pin(2+Tab) TO-220AC Tube905810-99￥8.9400100-499￥8.4930500-999￥8.19501000-1999￥8.18012000-4999￥8.12055000-7499￥8.04607500-9999￥7.9864≥10000￥7.9566 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP260N60E 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V68115-49￥15.291950-199￥14.6384200-499￥14.2724500-999￥14.18101000-2499￥14.08952500-4999￥13.98495000-7499￥13.9196≥7500￥13.8542 -
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品类: TVS二极管描述: 超快塑封整流 Ultrafast Plastic Rectifier25685-24￥5.521525-49￥5.112550-99￥4.8262100-499￥4.7035500-2499￥4.62172500-4999￥4.51955000-9999￥4.4786≥10000￥4.4172 -
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品类: TVS二极管描述: Diode Switching 200V 16A 2Pin(2+Tab) TO-220AC Tube523010-99￥7.8000100-499￥7.4100500-999￥7.15001000-1999￥7.13702000-4999￥7.08505000-7499￥7.02007500-9999￥6.9680≥10000￥6.9420 -
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品类: 二极管阵列描述: Diode Switching 300V 16A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube991310-99￥6.7440100-499￥6.4068500-999￥6.18201000-1999￥6.17082000-4999￥6.12585000-7499￥6.06967500-9999￥6.0246≥10000￥6.0022
